内存价格正经历一轮快速上涨。

根据美国投资银行Jefferies的最新预测，到2026年第三季度，内存价格预计环比增长40%至50%，随后在第四季度继续上涨30%至40%。到2027年全年，同比涨幅将达到40%至45%，且这种上涨趋势预计将持续到2028年才会逐渐放缓。

供应方面，全球三大DRAM（动态随机存取存储器）制造商三星、SK海力士和美光目前的产能已显紧张，并且其总产能的一半已被长期协议锁定。

扩产计划也在同步进行。

美光此前已在美国等地投入超过1500亿美元用于新建产能。三星电子和SK集团近期也公布了一项为期十年的半导体和人工智能基础设施投资计划，总额达200万亿韩元，约合1.3万亿美元。这三家存储原厂的总投资预计将超过1.5万亿美元。

值得注意的是，由于这三巨头占据了超过90%的市场份额，它们也面临着反垄断诉讼。美国律所Hagens Berman指控它们合谋操纵价格，人为制造供应短缺。

01 存储原厂加大投资力度

根据媒体报道，三星和SK集团的人工智能基础设施项目投资涵盖半导体、显示器、电池和数据中心等多个领域，其中半导体是投资的重点。

三星计划在韩国西南部的光州和全罗南道地区建设4至5座前道晶圆厂，投资约30万亿韩元。同时，在龙仁半导体集群将新建6座晶圆厂，投资36万亿韩元，原计划于2048年完工，现已提前至2034至2035年。此外，在忠清南道天安和温阳的先进封装基地将投入超过56万亿韩元，专注于封装研发与生产。

在半导体领域之外，AI数据中心投资将超过35万亿韩元，主要选址在忠清南道牙山。

SK海力士则计划在光州建设四到五座前道晶圆厂，并在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂，相关投资规模约为60万亿韩元。

在此之前，SK海力士已启动了部分扩产项目，但这些项目是否包含在本次公布的新投资计划中，该公司并未明确说明。

例如，SK集团会长崔泰源曾于6月11日表示，位于清州的M15X晶圆厂预计于2026年下半年开始运营，初期月产能为4万片，并计划在2027年增至约8万片。

此外，龙仁半导体集群的建设也在加速推进，一期工程预计于2027年初完工，包含6个洁净室，每个洁净室将逐步增加月产能6万片。仅第一工厂就可能在2030年上半年之前增加36万片的月产能DRAM。

美光的扩产计划在全球市场同步推进，其中美国本土是核心区域。

在第三财季业绩电话会议上，CFO马克·墨菲（Mark Murphy）透露，第四财季的资本支出指引约为100亿美元，2026财年全年将达到270亿美元。他还预计，2027财年的季度资本支出将高于2026财年第四季度的水平，其中超过一半的同比增长将来自建设性资本支出。

目前，美光正在美国爱达荷州博伊西总部园区新建两座晶圆厂ID1和ID2，总投资500亿美元，这将是美国历史上最大的洁净室之一。ID1预计于2027年中旬产出首批DRAM晶圆，包括用于HBM的基础芯片。ID2预计将在2028年底前投产。

在纽约州锡拉丘兹的晶圆厂集群，投资额达1000亿美元，是纽约州历史上最大的单笔私人投资，该项目已于2026年1月动工。

弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂近期已启动1-alpha DDR4技术的生产，主要面向汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。

在亚洲地区，日本广岛的新建DRAM晶圆厂投资为96亿美元，并已引入EUV设备。在中国台湾，收购的现有晶圆厂预计将在2027年中实现批量产品出货，比原计划提前约一个季度。附近规模相当的第二座洁净室也已开建，将支持EUV设备。

新加坡将成为美光的先进封装卓越中心，重点拓展HBM封装产能，预计在2027年上半年开始贡献收入。当地新建的NAND晶圆厂的十年投资约为240亿美元。

梅赫罗特拉特别提到，美光近期与ASML签署了一项多年期EUV供应协议，为下一代1-delta节点及更先进的工艺奠定基础。

这三家公司的投资策略有一个共同点：都在进行扩产，但都采取了拉长周期、分摊成本的方式，没有一家押注于短期的爆发式增长。

桑杰在美光第三财季的电话会议上解释道，整个行业都在努力增加供应，但扩产速度受到多个因素的限制：晶圆厂建设周期长、设备交付日益缓慢、熟练工人短缺，以及能源和水电基础设施的不足。

他将这些因素统称为“结构性约束”，并指出在这些约束下，未来两到三年内，供应端的紧张局面很可能难以缓解。

02 HBM成为关键战略资源

相较于传统DRAM（动态随机存取存储器），真正让下游厂商感到担忧的是HBM（高带宽存储器）。

这种堆叠式高带宽内存的需求逻辑与以往所有内存产品类别都不同。

在6月份，黄仁勋在首尔与SK集团会长崔泰源会面时明确表示，SK海力士到2030年将存储晶圆产能翻倍的计划“远远不够”。他补充道：“我们已经从SK海力士采购，每年的采购额达数十亿美元，而且这个数字还将大幅增长。”

根据分析师fin在《AI半导体终局推演》中的测算，每张GPU的HBM容量需求每年增长约40%，而供应端的产能增量为14%，DRAM的单元密度增速仅为9%。供需之间的差距日益扩大。

这意味着，DRAM的供应增速仅为24%，增速差值达到了16%。

更关键的是，传统DRAM是标准化产品，在行业下行周期中，需求暴跌会导致价格暴跌，从而使行业面临巨额亏损。而HBM则规避了这一风险。

fin认为，虽然HBM的上层堆叠仍然是DRAM，但其Base die（基底裸片）具有定制化属性。客户需要与存储原厂签订长期合同锁定产能，同时AI需求的可预测性更强。在这种情况下，价格下跌反而会刺激客户增加配置量，形成支撑。此外，由于技术更新换代快，旧产品的贬值速度也快，存储原厂更倾向于争夺fabless客户下一代技术的认证资格，而不是在存量市场进行价格战。

fin的分析表明，HBM已经从过去“一年盈利、三年亏损”的传统周期性产品，转变为“上行期盈利丰厚、下行期亏损有限”的成长性产品。他认为，只要Transformer架构中的注意力机制不被颠覆，HBM的指数级需求就不会停止。

03 谁在争夺韩国的产能？

在6月份，黄仁勋在韩国与SK集团会长崔泰源、SK海力士CEO郭鲁正等人举行了“晚餐会”。

会后，黄仁勋向现场媒体确认，英伟达新推出的Vera CPU将采用SK海力士的DRAM，双方正在为今年下半年和明年“超大规模的合作”做准备。

同一天，英伟达与SK海力士宣布了一项多年的技术合作协议，涉及AI超级计算机的延伸，覆盖机器人、数字孪生和半导体制造等领域。

黄仁勋并非唯一关注韩国内存产能的科技巨头。

今年3月，AMD的CEO苏姿丰在其2014年上任以来的首次韩国之行中，第一站便前往了三星电子位于京畿道平泽的园区。

双方签署的谅解备忘录涵盖多个层面：三星将为AMD下一代AI加速器MI455X供应HBM4内存，同时为代号“Venice”的第六代EPYC处理器开发定制化的DRAM解决方案。

科技巨头们纷纷前往韩国，其根本原因在于，内存正从一种可按需采购的通用零部件，转变为需要CEO亲自出马去争取才能获得的战略资源。

04 美光态度强硬，苹果面临挑战

在本轮涨价潮中，美光的态度比三星和SK海力士更为坚定。

在发布创纪录的第三财季业绩后，美光首席商务官苏米特·萨达纳在接受《华尔街日报》采访时，罕见地回顾了过去的经历。

他透露，美光在上一次行业低迷期未能进行扩产投资，部分原因是一些客户“在定价上表现得极其激进”，“以最低价采购”，将供应商的毛利率压至负数。他表示，美光当时就曾告知这些客户，“这种做法并无建设性”。由于极差的定价和利润率，2023年许多行业投资项目被直接搁置。

尽管没有点名，但外界普遍认为美光“吐槽”的客户正是苹果公司。

苹果公司长期以来以其与供应商强硬的议价能力而闻名，通过长期采购合同锁定低价，最大限度地降低自身成本，同时将终端产品的价格推高。

然而，这种强硬的供应链策略，间接加剧了存储短缺，也开始对苹果自身产生反噬。

苹果CEO蒂姆·库克近期承认，本轮内存短缺是“百年一遇的洪水”，涨价“不可避免”。在此言论发布后不久，苹果便对其MacBook、iPad、Apple TV和Vision Pro等产品线进行了全面提价。当日，苹果市值蒸发了2650亿美元。

据《金融时报》报道，苹果公司正在悄悄游说华盛顿，希望获得许可，允许其向中国存储芯片制造商长鑫采购内存。在苹果看来，长鑫尚未深度卷入AI用HBM的供应竞争，理论上可以提供更具成本优势的内存。

市场研究机构Gartner的分析师兰吉特·阿特瓦尔（Ranjit Atwal）评论道：“即便是苹果也无法幸免，尽管他们拥有所有的专业知识和长期规划，但这已经超出了他们能够限制影响的范围。”

目前，市场普遍预测，最快到2028年之后，存储短缺问题才能得到缓解。然而，一旦权力结构发生转变，要回到原点将非常困难。在存储市场，买方可能无法再获得过去那种“予取予求”的议价能力——内存的“大宗商品时代”正在落幕，而终端厂商尚未完全适应这一趋势。

特约编译金鹿对本文亦有贡献。

本文来自“腾讯科技”，作者：苏扬，编辑：徐青阳，36氪经授权发布。